在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880017320.4

申请日：

2018-03-09

公开(公告)号：

CN110402477A

公开(公告)日：

2019-11-01

发明(设计)人：

大卫·查尔斯·史密斯丹尼斯·M·豪斯曼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-01	公开	公开
2020-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180309

共 50 条

[1]

氮化硅的选择性生长 [P].

大卫·查尔斯·史密斯 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

美国专利 :CN108630524B ,2024-05-28

[2]

氮化硅的选择性生长 [P].

大卫·查尔斯·史密斯 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN108630524A ,2018-10-09

[3]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01

[4]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

G·A·弗尼 ;

邓少任 ;

D·恰佩 ;

E·托伊斯 ;

M·托米宁 ;

M·吉文斯 .

:CN120400796A ,2025-08-01

[5]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

:CN113463067B ,2025-05-23

[6]

通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P].

蔡宇浩 ;

张度 ;

王明美 .

中国专利 :CN113785383A ,2021-12-10

[7]

通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P].

蔡宇浩 ;

张度 ;

王明美 .

日本专利 :CN113785383B ,2025-11-11

[8]

基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法 [P].

叶彦宏 ;

范左鸿 ;

刘慕义 ;

詹光阳 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1419280A ,2003-05-21

[9]

在氮化硅表面淀积氧化硅的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102312225A ,2012-01-11

[10]

利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅 [P].

大卫·查尔斯·史密斯 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

美国专利 :CN108597983B ,2024-01-30

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