氧化硅在金属表面上的选择性沉积

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110323241.X
申请日
2021-03-26
公开(公告)号
CN113463067B
公开(公告)日
2025-05-23
发明(设计)人
A.伊利贝里 G.A.弗尼 邓少任 D.恰佩 E.托伊斯 M.托米宁 M.吉文斯
申请人
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
C23C16/40
IPC分类号
C23C16/04
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
王冉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P]. 
A.伊利贝里 ;
G.A.弗尼 ;
邓少任 ;
D.恰佩 ;
E.托伊斯 ;
M.托米宁 ;
M.吉文斯 .
中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01
[2]
氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P]. 
A·伊利贝里 ;
G·A·弗尼 ;
邓少任 ;
D·恰佩 ;
E·托伊斯 ;
M·托米宁 ;
M·吉文斯 .
:CN120400796A ,2025-08-01
[3]
相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅 [P]. 
A.伊利贝里 ;
G.A.弗尼 ;
邓少任 ;
D.恰佩 ;
E.托伊斯 ;
M.托米宁 ;
M.吉文斯 .
中国专利 :CN113471059A ,2021-10-01
[4]
金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P]. 
A·伊利贝里 ;
M·吉文斯 ;
S·邓 ;
G·A·维尼 .
中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23
[5]
金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P]. 
A·伊利贝里 ;
M·吉文斯 ;
S·邓 ;
G·A·维尼 .
:CN111816547B ,2025-12-16
[6]
在金属表面上选择性沉积钝化膜 [P]. 
王勇 ;
安德里亚·列奥尼 ;
多琳·卫英·勇 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
约翰·苏迪约诺 .
美国专利 :CN114981472B ,2024-09-06
[7]
在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P]. 
王勇 ;
多琳·卫英·勇 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
约翰·苏迪约诺 .
中国专利 :CN114698381A ,2022-07-01
[8]
在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P]. 
王勇 ;
多琳·卫英·勇 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
约翰·苏迪约诺 .
美国专利 :CN118497700A ,2024-08-16
[9]
在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P]. 
王勇 ;
多琳·卫英·勇 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
约翰·苏迪约诺 .
美国专利 :CN114698381B ,2024-05-24
[10]
在水平表面上的选择性沉积SiN [P]. 
巴特·J·范施拉芬迪克 ;
阿维尼什·古普塔 ;
帕特里克·A·范克利蒙布特 ;
詹森·大进·帕克 .
美国专利 :CN110998790B ,2024-07-09