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在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410609178.X
申请日
:
2021-10-26
公开(公告)号
:
CN118497700A
公开(公告)日
:
2024-08-16
发明(设计)人
:
王勇
多琳·卫英·勇
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
约翰·苏迪约诺
申请人
:
应用材料公司
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
C23C16/04
IPC分类号
:
C23C16/56
C23C16/455
H01L21/56
H01L21/32
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
徐金国;赵静
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-09-03
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/04申请日:20211026
2024-08-16
公开
公开
共 50 条
[1]
在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜
[P].
王勇
论文数:
0
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0
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王勇
;
多琳·卫英·勇
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多琳·卫英·勇
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
约翰·苏迪约诺
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约翰·苏迪约诺
.
中国专利
:CN114698381A
,2022-07-01
[2]
在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜
[P].
王勇
论文数:
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
王勇
;
多琳·卫英·勇
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
多琳·卫英·勇
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
约翰·苏迪约诺
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
约翰·苏迪约诺
.
美国专利
:CN114698381B
,2024-05-24
[3]
在金属表面上选择性沉积钝化膜
[P].
王勇
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
王勇
;
安德里亚·列奥尼
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
安德里亚·列奥尼
;
多琳·卫英·勇
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
多琳·卫英·勇
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
约翰·苏迪约诺
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
约翰·苏迪约诺
.
美国专利
:CN114981472B
,2024-09-06
[4]
金属氧化物在金属表面上的选择性沉积
[P].
A·伊利贝里
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A·伊利贝里
;
M·吉文斯
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M·吉文斯
;
S·邓
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S·邓
;
G·A·维尼
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G·A·维尼
.
中国专利
:CN111816547A
,2020-10-23
[5]
金属氧化物在金属表面上的选择性沉积
[P].
A·伊利贝里
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机构:
ASMIP控股有限公司
ASMIP控股有限公司
A·伊利贝里
;
M·吉文斯
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机构:
ASMIP控股有限公司
ASMIP控股有限公司
M·吉文斯
;
S·邓
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机构:
ASMIP控股有限公司
ASMIP控股有限公司
S·邓
;
G·A·维尼
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机构:
ASMIP控股有限公司
ASMIP控股有限公司
G·A·维尼
.
:CN111816547B
,2025-12-16
[6]
氧化硅在金属表面上的选择性沉积
[P].
A.伊利贝里
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A.伊利贝里
;
G.A.弗尼
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G.A.弗尼
;
邓少任
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邓少任
;
D.恰佩
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D.恰佩
;
E.托伊斯
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E.托伊斯
;
M.托米宁
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M.托米宁
;
M.吉文斯
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M.吉文斯
.
中国专利
:CN113463067A
,2021-10-01
[7]
氧化硅在金属表面上的选择性沉积
[P].
A·伊利贝里
论文数:
0
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A·伊利贝里
;
G·A·弗尼
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
G·A·弗尼
;
邓少任
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
邓少任
;
D·恰佩
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D·恰佩
;
E·托伊斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
E·托伊斯
;
M·托米宁
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M·托米宁
;
M·吉文斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M·吉文斯
.
:CN120400796A
,2025-08-01
[8]
氧化硅在金属表面上的选择性沉积
[P].
A.伊利贝里
论文数:
0
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
A.伊利贝里
;
G.A.弗尼
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
G.A.弗尼
;
邓少任
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
邓少任
;
D.恰佩
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D.恰佩
;
E.托伊斯
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
E.托伊斯
;
M.托米宁
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M.托米宁
;
M.吉文斯
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0
机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M.吉文斯
.
:CN113463067B
,2025-05-23
[9]
相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅
[P].
A.伊利贝里
论文数:
0
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A.伊利贝里
;
G.A.弗尼
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G.A.弗尼
;
邓少任
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邓少任
;
D.恰佩
论文数:
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D.恰佩
;
E.托伊斯
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0
E.托伊斯
;
M.托米宁
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0
M.托米宁
;
M.吉文斯
论文数:
0
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M.吉文斯
.
中国专利
:CN113471059A
,2021-10-01
[10]
在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物
[P].
诺普尔·比哈里
论文数:
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
诺普尔·比哈里
;
樊芸杉
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
樊芸杉
;
凯文·麦克劳克林
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0
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
凯文·麦克劳克林
.
美国专利
:CN121002650A
,2025-11-21
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