在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480023573.8

申请日：

2024-03-13

公开(公告)号：

CN121002650A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

诺普尔·比哈里樊芸杉凯文·麦克劳克林

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/285 C23C16/04 C23C16/40

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	公开	公开
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240313

共 50 条

[1]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23

[2]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

:CN111816547B ,2025-12-16

[3]

在金属表面上选择性沉积钝化膜 [P].

王勇 ;

安德里亚·列奥尼 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

美国专利 :CN114981472B ,2024-09-06

[4]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01

[5]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

G·A·弗尼 ;

邓少任 ;

D·恰佩 ;

E·托伊斯 ;

M·托米宁 ;

M·吉文斯 .

:CN120400796A ,2025-08-01

[6]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

:CN113463067B ,2025-05-23

[7]

在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P].

王勇 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

中国专利 :CN114698381A ,2022-07-01

[8]

在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P].

王勇 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

美国专利 :CN118497700A ,2024-08-16

[9]

在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P].

王勇 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

美国专利 :CN114698381B ,2024-05-24

[10]

相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113471059A ,2021-10-01

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