在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180003866.6

申请日：

2021-10-26

公开(公告)号：

CN114698381B

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

王勇多琳·卫英·勇巴斯卡尔·乔蒂·布雅约翰·苏迪约诺

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16/04

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/56 H01L21/56

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P].

王勇 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

中国专利 :CN114698381A ,2022-07-01

[2]

在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜 [P].

王勇 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

美国专利 :CN118497700A ,2024-08-16

[3]

在金属表面上选择性沉积钝化膜 [P].

王勇 ;

安德里亚·列奥尼 ;

多琳·卫英·勇 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

约翰·苏迪约诺 .

美国专利 :CN114981472B ,2024-09-06

[4]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23

[5]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

:CN111816547B ,2025-12-16

[6]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01

[7]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

G·A·弗尼 ;

邓少任 ;

D·恰佩 ;

E·托伊斯 ;

M·托米宁 ;

M·吉文斯 .

:CN120400796A ,2025-08-01

[8]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

:CN113463067B ,2025-05-23

[9]

相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113471059A ,2021-10-01

[10]

在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物 [P].

诺普尔·比哈里 ;

樊芸杉 ;

凯文·麦克劳克林 .

美国专利 :CN121002650A ,2025-11-21

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