压电薄膜元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780017158.1
申请日
2017-03-14
公开(公告)号
CN108780840A
公开(公告)日
2018-11-09
发明(设计)人
彼得·马迪洛维奇 高松远 苏珊·特罗利尔-麦金斯特里 特伦特·博尔曼 朱宛琳
申请人
申请人地址
英国剑桥
IPC主分类号
H01L41187
IPC分类号
H01L41318
代理机构
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262
代理人
艾娟;郑霞
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
压电薄膜元件 [P]. 
柴田宪治 ;
冈史人 ;
末永和史 .
中国专利 :CN101599527A ,2009-12-09
[2]
压电薄膜及压电薄膜元件 [P]. 
功刀千香 ;
井上柚华梨 ;
石井健太 ;
日色和成 .
日本专利 :CN118678867A ,2024-09-20
[3]
压电薄膜元件 [P]. 
木村纯一 .
中国专利 :CN110832654A ,2020-02-21
[4]
压电薄膜元件 [P]. 
木村纯一 .
中国专利 :CN110832655A ,2020-02-21
[5]
压电薄膜元件 [P]. 
木村纯一 ;
井上柚华梨 .
日本专利 :CN112750941B ,2024-06-25
[6]
压电薄膜元件 [P]. 
武内幸久 ;
木村浩二 ;
高桥正郎 .
中国专利 :CN1170990A ,1998-01-21
[7]
薄膜压电元件 [P]. 
神野伊策 ;
原慎太郎 ;
中野貴德 .
中国专利 :CN100347872C ,2003-09-24
[8]
压电薄膜元件 [P]. 
木村纯一 ;
井上柚华梨 .
中国专利 :CN112750941A ,2021-05-04
[9]
薄膜压电元件 [P]. 
三须幸一郎 ;
永塚勉 ;
和高修三 .
中国专利 :CN1171382C ,2000-06-14
[10]
压电薄膜元件 [P]. 
木村纯一 ;
井上柚华梨 .
中国专利 :CN111244263A ,2020-06-05