压电薄膜元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97113029.9

申请日：

1997-05-26

公开(公告)号：

CN1170990A

公开(公告)日：

1998-01-21

发明(设计)人：

武内幸久木村浩二高桥正郎

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H03H915

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

郑修哲

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-01-21	公开	公开
2004-11-17	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
1997-12-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

薄膜压电元件 [P].

神野伊策 ;

原慎太郎 ;

中野貴德 .

中国专利 :CN100347872C ,2003-09-24

[2]

压电薄膜及压电薄膜元件 [P].

功刀千香 ;

井上柚华梨 ;

石井健太 ;

日色和成 .

日本专利 :CN118678867A ,2024-09-20

[3]

压电薄膜元件 [P].

木村纯一 .

中国专利 :CN110832654A ,2020-02-21

[4]

压电薄膜元件 [P].

彼得·马迪洛维奇 ;

高松远 ;

苏珊·特罗利尔-麦金斯特里 ;

特伦特·博尔曼 ;

朱宛琳 .

中国专利 :CN108780840A ,2018-11-09

[5]

压电薄膜元件 [P].

柴田宪治 ;

冈史人 ;

末永和史 .

中国专利 :CN101599527A ,2009-12-09

[6]

压电薄膜元件 [P].

木村纯一 .

中国专利 :CN110832655A ,2020-02-21

[7]

压电薄膜元件 [P].

木村纯一 ;

井上柚华梨 .

日本专利 :CN112750941B ,2024-06-25

[8]

压电薄膜元件 [P].

木村纯一 ;

井上柚华梨 .

中国专利 :CN112750941A ,2021-05-04

[9]

薄膜压电元件 [P].

三须幸一郎 ;

永塚勉 ;

和高修三 .

中国专利 :CN1171382C ,2000-06-14

[10]

压电薄膜元件 [P].

木村纯一 ;

井上柚华梨 .

中国专利 :CN111244263A ,2020-06-05

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