一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810859515.5

申请日：

2018-07-26

公开(公告)号：

CN110767805A

公开(公告)日：

2020-02-07

发明(设计)人：

李金华沈涛王强李珊珊王贤保

申请人：

申请人地址：

430063 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

H01L5140

IPC分类号：

H01L5130 H01L5105

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20180726
2020-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高迁移率柔性低压有机薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李金华 ;

沈涛 ;

周慧 ;

郭松阳 ;

王贤保 .

中国专利 :CN112635673A ,2021-04-09

[2]

一种高迁移率柔性低压有机薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李金华 ;

沈涛 ;

周慧 ;

郭松阳 ;

王贤保 .

中国专利 :CN112635673B ,2024-10-18

[3]

一种高迁移率的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李春 ;

张秋松 ;

贾欣宇 ;

兰长勇 .

中国专利 :CN119384020A ,2025-01-28

[4]

一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法 [P].

陈惠鹏 ;

张国成 ;

杨辉煌 ;

胡利勤 ;

蓝淑琼 ;

郭太良 .

中国专利 :CN105552228B ,2016-05-04

[5]

高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN105845722A ,2016-08-10

[6]

InSb高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

董海云 ;

张杨 ;

曾一平 .

中国专利 :CN108288644A ,2018-07-17

[7]

一种高迁移率低能耗的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

岳兰 ;

孟繁新 .

中国专利 :CN119947535A ,2025-05-06

[8]

高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 [P].

徐华 ;

陈子凯 ;

李洪濛 ;

徐苗 ;

邹建华 ;

王磊 ;

陶洪 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN104882486B ,2015-09-02

[9]

有机薄膜晶体管及其制备方法 [P].

吴晓峰 ;

揭建胜 ;

王金文 ;

张秀娟 ;

张晓宏 .

中国专利 :CN119653968A ,2025-03-18

[10]

有机薄膜晶体管及其制备方法 [P].

彭俊彪 ;

曹镛 ;

兰林锋 .

中国专利 :CN100547823C ,2006-10-11

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