InSb高迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810051859.3

申请日：

2018-01-18

公开(公告)号：

CN108288644A

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

董海云张杨曾一平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2910 H01L2906

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤宝平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180118
2018-07-17	公开	公开
2021-03-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20180717

共 50 条

[1]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏晓骏 ;

罗帅 ;

徐鹏飞 ;

季海铭 .

中国专利 :CN112382569A ,2021-02-19

[2]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

周劲 ;

傅云义 .

中国专利 :CN106783997B ,2017-05-31

[3]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

[4]

高迁移率晶体管 [P].

H·尼米 ;

M·梅赫罗特拉 ;

R·L·怀斯 .

中国专利 :CN105849905B ,2016-08-10

[5]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230722A ,2017-10-03

[6]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

王倩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110444598A ,2019-11-12

[7]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22

[8]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28

[9]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230719A ,2017-10-03

[10]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

张韵 ;

何佳恒 ;

谢树杰 .

中国专利 :CN120018545A ,2025-05-16

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