一种高迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011516860.2

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN112382569A

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

魏晓骏罗帅徐鹏飞季海铭

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2910 H01L2920 H01L29778

代理机构：

武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228

代理人：

邓寅杰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-19	公开	公开
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20201221

共 50 条

[1]

InSb高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

董海云 ;

张杨 ;

曾一平 .

中国专利 :CN108288644A ,2018-07-17

[2]

一种高迁移率晶体管 [P].

魏晓骏 ;

罗帅 ;

徐鹏飞 ;

季海铭 .

中国专利 :CN213716842U ,2021-07-16

[3]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

周劲 ;

傅云义 .

中国专利 :CN106783997B ,2017-05-31

[4]

高迁移率晶体管 [P].

H·尼米 ;

M·梅赫罗特拉 ;

R·L·怀斯 .

中国专利 :CN105849905B ,2016-08-10

[5]

一种氮化镓高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

童小东 ;

邢利敏 .

中国专利 :CN113555428A ,2021-10-26

[6]

一种高迁移率晶体管的制备方法 [P].

童小东 ;

张世勇 ;

谭为 ;

郑鹏辉 ;

徐建星 .

中国专利 :CN109727853A ,2019-05-07

[7]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

[8]

反向阻断高迁移率晶体管 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN114420743A ,2022-04-29

[9]

一种高迁移率晶体管的外延结构 [P].

王明华 ;

王柏钧 ;

叶顺闵 .

中国专利 :CN218039219U ,2022-12-13

[10]

一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

陆旭兵 ;

韦尉尧 ;

刘俊明 .

中国专利 :CN107195781A ,2017-09-22

← 1 2 3 4 5 →