一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710372261.X

申请日：

2017-05-24

公开(公告)号：

CN107195781A

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

陆旭兵韦尉尧刘俊明

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5140

代理机构：

广州骏思知识产权代理有限公司 44425

代理人：

潘雯瑛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	授权	授权
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20170524
2017-09-22	公开	公开

共 50 条

[1]

InSb高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

董海云 ;

张杨 ;

曾一平 .

中国专利 :CN108288644A ,2018-07-17

[2]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏晓骏 ;

罗帅 ;

徐鹏飞 ;

季海铭 .

中国专利 :CN112382569A ,2021-02-19

[3]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

周劲 ;

傅云义 .

中国专利 :CN106783997B ,2017-05-31

[4]

一种氮化镓高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

童小东 ;

邢利敏 .

中国专利 :CN113555428A ,2021-10-26

[5]

一种高迁移率晶体管的制备方法 [P].

童小东 ;

张世勇 ;

谭为 ;

郑鹏辉 ;

徐建星 .

中国专利 :CN109727853A ,2019-05-07

[6]

一种高迁移率晶体管 [P].

魏晓骏 ;

罗帅 ;

徐鹏飞 ;

季海铭 .

中国专利 :CN213716842U ,2021-07-16

[7]

一种高迁移率的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李春 ;

张秋松 ;

贾欣宇 ;

兰长勇 .

中国专利 :CN119384020A ,2025-01-28

[8]

一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李金华 ;

沈涛 ;

王强 ;

李珊珊 ;

王贤保 .

中国专利 :CN110767805A ,2020-02-07

[9]

一种基于WSe<sub>2</sub>异质结构的高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

肖振升 ;

于慧慧 ;

张铮 ;

张先坤 ;

田维佳 ;

陈珑新 ;

张婧祎 .

中国专利 :CN121001372A ,2025-11-21

[10]

侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法 [P].

童小东 ;

谭为 ;

郑鹏辉 ;

张世勇 ;

徐建星 .

中国专利 :CN109728086A ,2019-05-07

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