一种高迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023094677.6

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN213716842U

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

魏晓骏罗帅徐鹏飞季海铭

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2910 H01L2920 H01L29778

代理机构：

武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228

代理人：

邓寅杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

高迁移率晶体管 [P].

H·尼米 ;

M·梅赫罗特拉 ;

R·L·怀斯 .

中国专利 :CN105849905B ,2016-08-10

[2]

反向阻断高迁移率晶体管 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN114420743A ,2022-04-29

[3]

氮化镓高迁移率晶体管 [P].

闫稳玉 ;

吴伟东 ;

张薇葭 .

中国专利 :CN208298838U ,2018-12-28

[4]

一种高迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏晓骏 ;

罗帅 ;

徐鹏飞 ;

季海铭 .

中国专利 :CN112382569A ,2021-02-19

[5]

一种高迁移率晶体管的外延结构 [P].

王明华 ;

王柏钧 ;

叶顺闵 .

中国专利 :CN218039219U ,2022-12-13

[6]

氮化镓高迁移率晶体管 [P].

闫稳玉 ;

吴伟东 ;

张薇葭 .

中国专利 :CN107706239A ,2018-02-16

[7]

一种氮化镓高迁移率晶体管器件 [P].

囤冠华 ;

赵海明 ;

王敬 ;

任天令 ;

袁松 ;

钮应喜 ;

单卫平 ;

赵清 .

中国专利 :CN216528894U ,2022-05-13

[8]

一种高迁移率晶体管的制备方法 [P].

童小东 ;

张世勇 ;

谭为 ;

郑鹏辉 ;

徐建星 .

中国专利 :CN109727853A ,2019-05-07

[9]

一种高迁移率晶体管的制作方法 [P].

童小东 ;

谭为 ;

张世勇 ;

曾耿华 ;

张健 .

中国专利 :CN106057883A ,2016-10-26

[10]

侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法 [P].

童小东 ;

谭为 ;

郑鹏辉 ;

张世勇 ;

徐建星 .

中国专利 :CN109728086A ,2019-05-07

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