半导体继电器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510009365.1
申请日
2001-11-21
公开(公告)号
CN1652464A
公开(公告)日
2005-08-10
发明(设计)人
堀端健司 中山晃行 中村敏之 山田隆章 桥本雄士 原田和
申请人
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H03K1700
IPC分类号
H03K1718 G01R3128
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
王志森;黄小临
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体继电器及该半导体继电器的控制方法 [P]. 
堀端健司 ;
中山晃行 ;
中村敏之 ;
山田隆章 ;
桥本雄士 ;
原田和竑 .
中国专利 :CN1385871A ,2002-12-18
[2]
半导体继电器及包括该半导体继电器的半导体继电器模块 [P]. 
栗秋智成 ;
北原大祐 ;
恒冈道朗 ;
梶本刚志 .
日本专利 :CN118974951A ,2024-11-15
[3]
半导体继电器 [P]. 
柴田大辅 ;
田村聪之 ;
宇治田信二 ;
平下奈奈子 ;
小川雅弘 ;
梶谷亮 .
中国专利 :CN110168745B ,2019-08-23
[4]
半导体继电器 [P]. 
佐佐木光政 .
中国专利 :CN304184313S ,2017-06-20
[5]
半导体继电器 [P]. 
奥村仙也 ;
相沢吉昭 .
中国专利 :CN1111855A ,1995-11-15
[6]
半导体继电器 [P]. 
星野就俊 ;
藤原嘉宏 ;
芝野贵史 ;
高真祐 .
中国专利 :CN102656803A ,2012-09-05
[7]
半导体继电器 [P]. 
星野就俊 ;
新村雄一 ;
高真祐 ;
麦生田沙知子 .
中国专利 :CN101953074A ,2011-01-19
[8]
半导体继电器 [P]. 
沃尔特·阿普菲尔巴彻 ;
伯特兰·维亚拉 .
中国专利 :CN300744788D ,2008-02-13
[9]
半导体继电器 [P]. 
沃尔特·阿普费尔巴彻 ;
安妮玛丽·莱迈耶 ;
约翰·塞茨 .
中国专利 :CN1757273A ,2006-04-05
[10]
半导体继电器 [P]. 
梶本刚志 ;
浅野勇斗 ;
栗秋智成 ;
小西保司 .
日本专利 :CN117375598A ,2024-01-09