碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810200232.X

申请日：

2012-05-30

公开(公告)号：

CN108336127A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

石桥惠二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2904

IPC分类号：

H01L2916 H01L2936 H01L29868 H01L29872 H01L2104 H01L21329 B28D504

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	授权	授权
2018-07-27	公开	公开
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/04 申请日:20120530

共 50 条

[1]

碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608498B ,2014-02-26

[2]

碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN121014273A ,2025-11-25

[3]

碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀井拓 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105453219A ,2016-03-30

[4]

碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀井拓 ;

久保田良辅 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105453220A ,2016-03-30

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

胁本节子 ;

岩谷将伸 .

中国专利 :CN107039268B ,2017-08-11

[6]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[7]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[8]

碳化硅衬底、半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

西口太郎 ;

佐佐木信 ;

原田真 ;

藤原伸介 ;

并川靖生 .

中国专利 :CN102422387A ,2012-04-18

[9]

制造碳化硅衬底的方法、碳化硅衬底和半导体器件 [P].

西口太郎 ;

佐佐木信 ;

原田真 ;

藤原伸介 ;

并川靖生 ;

增田健良 .

中国专利 :CN102449733A ,2012-05-09

[10]

制造碳化硅半导体衬底的方法 [P].

玄番润 .

中国专利 :CN105705684A ,2016-06-22

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