碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680091075.2

申请日：

2016-11-28

公开(公告)号：

CN109996908B

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

滨野健一大野彰仁沟部卓真酒井雅木村泰广三谷阳一郎金泽孝

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

H01L2120 H01L21205 H01L21336 H01L2912 H01L29739 H01L2978 H01L29861 H01L29868 H01L29872

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置 [P].

藤林裕明 ;

星真一 ;

上原准市 ;

竹内有一 ;

津野拓海 .

日本专利 :CN120835603A ,2025-10-24

[2]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[3]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

内田贵史 .

日本专利 :CN118922947A ,2024-11-08

[4]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

桥爪悠一 ;

熊田惠志郎 ;

星保幸 .

中国专利 :CN109427902A ,2019-03-05

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[7]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN112466924B ,2025-08-29

[8]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN101859706B ,2010-10-13

[9]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

须原纪之 ;

堤岳志 ;

巻渕阳一 ;

荒岡干 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105940498B ,2016-09-14

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	授权	授权
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20161128
2019-07-09	公开	公开