碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910102205.3

申请日：

2019-02-01

公开(公告)号：

CN110137241A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

上东秀幸

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2020-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190201

共 50 条

[1]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[2]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[3]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

田所千广 ;

樽井阳一郎 ;

大久野幸史 .

中国专利 :CN105023941A ,2015-11-04

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

箕谷周平 ;

汲田昌弘 ;

副岛成雅 .

中国专利 :CN111149214A ,2020-05-12

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118676206A ,2024-09-20

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN102054877A ,2011-05-11

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

辻崇 .

日本专利 :CN117594651A ,2024-02-23

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

桥爪悠一 .

日本专利 :CN117790583A ,2024-03-29

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