碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310914473.1

申请日：

2023-07-24

公开(公告)号：

CN117790583A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

桥爪悠一

申请人：

富士电机株式会社

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/66

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

周爽;金玉兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/872申请日:20230724

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵任 .

中国专利 :CN112466752A ,2021-03-09

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118676206A ,2024-09-20

[3]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[5]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

日本专利 :CN113228236B ,2024-08-09

[6]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

中国专利 :CN113228236A ,2021-08-06

[7]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大濑直之 ;

今井文一 ;

中嶋经宏 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105765698A ,2016-07-13

[8]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊谷直树 ;

堤岳志 ;

酒井善行 ;

大西泰彦 ;

藤本卓巳 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN106796956B ,2017-05-31

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

富永贵亮 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN108352407A ,2018-07-31

[10]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

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