碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010243549.5

申请日：

2010-07-30

公开(公告)号：

CN102054877A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

樽井阳一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L29861 H01L2906 H01L21329

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;王洪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-11	公开	公开
2013-07-24	授权	授权
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081910648 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2010102435495 申请日:20100730

共 50 条

[1]

碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置 [P].

藤林裕明 ;

星真一 ;

上原准市 ;

竹内有一 ;

津野拓海 .

日本专利 :CN120835603A ,2025-10-24

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

田所千广 ;

樽井阳一郎 ;

大久野幸史 .

中国专利 :CN105023941A ,2015-11-04

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

高木保志 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN106663693B ,2017-05-10

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

竹内有一 ;

秋叶敦也 ;

青井佐智子 ;

铃木克己 .

中国专利 :CN110226233B ,2019-09-10

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

谷本智 .

中国专利 :CN101635313A ,2010-01-27

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

日野史郎 .

日本专利 :CN115917755B ,2025-08-01

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

佐野恒一郎 ;

大冈笃志 ;

清泽努 ;

石山修 ;

若山贵行 ;

斋藤浩一 ;

长谷川贵史 ;

进藤大辅 ;

楠本修 .

中国专利 :CN108110003A ,2018-06-01

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

林真吾 ;

木下明将 .

中国专利 :CN115394831A ,2022-11-25

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 .

日本专利 :CN117425965A ,2024-01-19

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