一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210258454.X

申请日：

2012-07-24

公开(公告)号：

CN103578934B

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

王盛凯刘洪刚孙兵赵威薛百清

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

刘丽君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578332193 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:201210258454X 申请日:20120724
2016-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[2]

一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

赵威 .

中国专利 :CN103839947A ,2014-06-04

[3]

一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 [P].

王桂磊 ;

亨利·雷德森 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN106952861A ,2017-07-14

[4]

一种绝缘体上锗衬底的制备方法 [P].

黄如 ;

林猛 ;

郭岳 ;

安霞 ;

张兴 .

中国专利 :CN102201364A ,2011-09-28

[5]

一种绝缘体上锗衬底结构的制备方法 [P].

陈敏腾 ;

杨秀静 .

中国专利 :CN120149259A ,2025-06-13

[6]

一种绝缘体上锗衬底的制备方法 [P].

黄如 ;

林猛 ;

安霞 ;

张兴 .

中国专利 :CN102222637A ,2011-10-19

[7]

一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

罗雪 ;

王云 .

中国专利 :CN113192969A ,2021-07-30

[8]

绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法 [P].

陈自强 ;

盖伊·科恩 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

德温得拉·萨达纳 ;

加瓦姆·沙赫迪 .

中国专利 :CN1875473A ,2006-12-06

[9]

一种多层绝缘体上锗衬底结构及其制造方法 [P].

苗渊浩 ;

亨利·H·阿达姆松 .

中国专利 :CN120545243A ,2025-08-26

[10]

一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

赵威 .

中国专利 :CN103839976A ,2014-06-04

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