绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480031953.9

申请日：

2004-10-28

公开(公告)号：

CN1875473A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

陈自强盖伊·科恩亚历山大·雷茨尼采克德温得拉·萨达纳加瓦姆·沙赫迪

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L310232 H01L21324 H01L21265 H01L21306 H01L2714

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-06	公开	公开
2017-12-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171117 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2008-07-02	授权	授权
2007-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171117 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛

共 50 条

[1]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN114496732A ,2022-05-13

[2]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107873106B ,2018-04-03

[3]

制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底 [P].

S·W·拜戴尔 ;

K·E·福格尔 ;

D·A·萨达纳 .

中国专利 :CN100345246C ,2004-04-28

[4]

制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底 [P].

S·W·拜戴尔 ;

K·E·福格尔 ;

D·A·萨达纳 .

中国专利 :CN101101915A ,2008-01-09

[5]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[6]

绝缘体上锗GOI结构的制备方法 [P].

张苗 ;

陈达 ;

薛忠营 ;

王刚 ;

郭庆磊 ;

叶林 ;

狄增峰 .

中国专利 :CN103646909B ,2014-03-19

[7]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[8]

形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构 [P].

格哈瓦姆·G·莎赫迪 ;

斯蒂芬·W·贝德尔 ;

德维恩卓·K·萨达纳 ;

凯思·E·佛格尔 .

中国专利 :CN1332425C ,2005-02-02

[9]

绝缘体上锗硅的形成方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103594411A ,2014-02-19

[10]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

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