绝缘体上锗硅的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210287340.8

申请日：

2012-08-13

公开(公告)号：

CN103594411A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

陈勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	公开	公开
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580338600 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012102873408 申请日:20120813
2017-05-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752381831 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012102873408 申请公布日:20140219

共 50 条

[1]

绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法 [P].

张轩雄 ;

杨帆 .

中国专利 :CN102593005A ,2012-07-18

[2]

绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法 [P].

陈自强 ;

盖伊·科恩 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

德温得拉·萨达纳 ;

加瓦姆·沙赫迪 .

中国专利 :CN1875473A ,2006-12-06

[3]

制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 [P].

刘超 ;

高兴国 ;

李建平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1779909A ,2006-05-31

[4]

形成绝缘体上Ⅲ/Ⅴ族上锗结构的方法 [P].

尼古拉斯·达瓦尔 ;

比什-因·阮 ;

塞西尔·奥尔奈特 ;

康斯坦丁·布德尔 .

中国专利 :CN102709225A ,2012-10-03

[5]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[6]

应变绝缘体上硅的形成方法 [P].

盖伊·M·科恩 ;

希尔科·H·克里斯蒂安森 .

中国专利 :CN100470724C ,2006-01-25

[7]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN114496732A ,2022-05-13

[8]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107873106B ,2018-04-03

[9]

制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构 [P].

古川俊治 ;

查尔斯·W.·考伯格三世 ;

詹姆斯·A.·斯林科曼 .

中国专利 :CN1914722B ,2007-02-14

[10]

绝缘体上硅衬底和形成方法 [P].

A·B·博图拉 ;

M·D·贾菲 ;

A·J·约瑟夫 ;

K·F·麦卡维 ;

G·普非伊费尔 ;

R·A·费尔普斯 .

中国专利 :CN103247566A ,2013-08-14

← 1 2 3 4 5 →