制造绝缘体上硅锗的方法

被引：0

申请号：

CN202210094008.3

申请日：

2016-05-18

公开(公告)号：

CN114496732A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

S·G·托马斯 G·王

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H01L21762

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;于静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20160518

共 50 条

[1]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107873106B ,2018-04-03

[2]

绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法 [P].

陈自强 ;

盖伊·科恩 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

德温得拉·萨达纳 ;

加瓦姆·沙赫迪 .

中国专利 :CN1875473A ,2006-12-06

[3]

制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底 [P].

S·W·拜戴尔 ;

K·E·福格尔 ;

D·A·萨达纳 .

中国专利 :CN100345246C ,2004-04-28

[4]

制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底 [P].

S·W·拜戴尔 ;

K·E·福格尔 ;

D·A·萨达纳 .

中国专利 :CN101101915A ,2008-01-09

[5]

阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102737968A ,2012-10-17

[6]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金甫娟 .

中国专利 :CN101577292A ,2009-11-11

[7]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金容铎 ;

张太洙 .

中国专利 :CN101488522A ,2009-07-22

[8]

制造绝缘体上硅结构的工艺 [P].

C·大卫 ;

塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 .

中国专利 :CN103035562A ,2013-04-10

[9]

硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法 [P].

许胜藤 ;

D·J·特威特 ;

D·R·埃文斯 .

中国专利 :CN1416159A ,2003-05-07

[10]

基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法 [P].

陈志君 ;

张峰 .

中国专利 :CN1322547C ,2005-08-17

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