硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02148143.1

申请日：

2002-10-30

公开(公告)号：

CN1416159A

公开(公告)日：

2003-05-07

发明(设计)人：

许胜藤 D·J·特威特 D·R·埃文斯

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2120 H01L2184

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王景朝;马崇德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-05-07	公开	公开
2006-01-18	授权	授权
2003-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-12-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101372517648 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL021481431 申请日:20021030 授权公告日:20060118 终止日期:20111030

共 50 条

[1]

通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触 [P].

迈克尔·J·哈格路夫 ;

杰克·A·曼德尔曼 .

中国专利 :CN1280388A ,2001-01-17

[2]

绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

高明辉 ;

彭树根 ;

肖军 .

中国专利 :CN102005454B ,2011-04-06

[3]

一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器 [P].

严琼 ;

陈磊 ;

赖宗声 ;

石春琦 ;

张书霖 ;

华林 ;

苏杰 ;

张伟 ;

刘盛富 ;

阮颖 .

中国专利 :CN102082550A ,2011-06-01

[4]

绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管 [P].

易扬波 ;

李海松 ;

王钦 ;

陈文高 .

中国专利 :CN101692454A ,2010-04-07

[5]

高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 [P].

钱钦松 ;

高怀 ;

刘侠 ;

庄华龙 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488524A ,2009-07-22

[6]

高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

贾侃 ;

吴虹 ;

钱钦松 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488523A ,2009-07-22

[7]

绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法 [P].

李海松 ;

王钦 ;

杨东林 ;

陈文高 ;

陶平 ;

易扬波 .

中国专利 :CN101764157A ,2010-06-30

[8]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN114496732A ,2022-05-13

[9]

制造绝缘体上硅锗的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107873106B ,2018-04-03

[10]

具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器 [P].

李岳川 ;

陈嘉展 ;

施俊吉 .

中国专利 :CN107026180A ,2017-08-08

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