非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280044072.5

申请日：

2012-09-10

公开(公告)号：

CN103999218A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

米田慎一三河巧伊藤理早川幸夫姫野敦史

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L4500 H01L4900

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	公开	公开
2016-03-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729098670 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2012800440725 登记生效日:20160219 变更事项:申请人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:松下知识产权经营株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本大阪府
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586959491 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2012800440725 申请日:20120910
2016-11-30	授权	授权
2020-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 登记生效日:20200601 变更事项:专利权人变更前权利人:松下知识产权经营株式会社变更后权利人:松下半导体解决方案株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本京都府

共 50 条

[1]

非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P].

魏志强 ;

高木刚 ;

三谷觉 ;

村冈俊作 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN103250252B ,2013-08-14

[2]

非易失性存储装置的制造方法、非易失性存储元件、及非易失性存储装置 [P].

巍志强 ;

高木刚 ;

饭岛光辉 .

中国专利 :CN102859690A ,2013-01-02

[3]

非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法 [P].

藤井觉 ;

有田浩二 ;

三谷觉 ;

三河巧 .

中国专利 :CN102292814A ,2011-12-21

[4]

非易失性存储元件以及非易失性存储装置 [P].

魏志强 ;

高木刚 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN103270592A ,2013-08-28

[5]

非易失性存储元件和非易失性存储装置 [P].

魏志强 ;

二宫健生 ;

高木刚 .

中国专利 :CN103348472B ,2013-10-09

[6]

非易失性存储元件以及非易失性存储装置 [P].

高木刚 ;

魏志强 ;

二宫健生 ;

村冈俊作 ;

神泽好彦 .

中国专利 :CN102017145B ,2011-04-13

[7]

非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P].

片山幸治 ;

高木刚 .

中国专利 :CN102047423B ,2011-05-04

[8]

非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储元件 [P].

村濑英昭 ;

三河巧 ;

川岛良男 ;

姫野敦史 .

中国专利 :CN103119717A ,2013-05-22

[9]

非易失性存储元件、其制造方法、非易失性存储装置和非易失性存储元件的设计支援方法 [P].

早川幸夫 ;

三河巧 ;

二宫健生 .

中国专利 :CN103229299A ,2013-07-31

[10]

非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法 [P].

三谷觉 ;

神泽好彦 ;

片山幸治 ;

魏志强 ;

高木刚 .

中国专利 :CN101689548B ,2010-03-31

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