非易失性存储元件以及非易失性存储装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980114976.9
申请日
2009-12-04
公开(公告)号
CN102017145B
公开(公告)日
2011-04-13
发明(设计)人
高木刚 魏志强 二宫健生 村冈俊作 神泽好彦
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2710
IPC分类号
G11C1300 H01L4500 H01L4900
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
黄剑锋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性存储元件以及非易失性存储装置 [P]. 
魏志强 ;
高木刚 ;
片山幸治 .
中国专利 :CN103270592A ,2013-08-28
[2]
非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P]. 
魏志强 ;
高木刚 ;
三谷觉 ;
村冈俊作 ;
片山幸治 .
中国专利 :CN103250252B ,2013-08-14
[3]
非易失性存储元件和非易失性存储装置 [P]. 
魏志强 ;
二宫健生 ;
高木刚 .
中国专利 :CN103348472B ,2013-10-09
[4]
非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法 [P]. 
三谷觉 ;
神泽好彦 ;
片山幸治 ;
魏志强 ;
高木刚 .
中国专利 :CN101689548B ,2010-03-31
[5]
非易失性存储装置的制造方法、非易失性存储元件、及非易失性存储装置 [P]. 
巍志强 ;
高木刚 ;
饭岛光辉 .
中国专利 :CN102859690A ,2013-01-02
[6]
非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P]. 
片山幸治 ;
高木刚 .
中国专利 :CN102047423B ,2011-05-04
[7]
非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法 [P]. 
米田慎一 ;
三河巧 ;
伊藤理 ;
早川幸夫 ;
姫野敦史 .
中国专利 :CN103999218A ,2014-08-20
[8]
非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法 [P]. 
藤井觉 ;
有田浩二 ;
三谷觉 ;
三河巧 .
中国专利 :CN102292814A ,2011-12-21
[9]
非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置 [P]. 
二宫健生 ;
有田浩二 ;
三河巧 ;
藤井觉 .
中国专利 :CN101878530A ,2010-11-03
[10]
非易失性存储元件 [P]. 
三河巧 ;
早川幸夫 ;
二宫健生 ;
川岛良男 ;
米田慎一 .
中国专利 :CN202308073U ,2012-07-04