基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911076725.8

申请日：

2019-11-06

公开(公告)号：

CN110768513B

公开(公告)日：

2020-02-07

发明(设计)人：

张千帆曲建真崔淑梅王金鑫袁雪

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

H02M100

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

于歌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-07	公开	公开
2020-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/00 申请日:20191106
2020-07-24	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅功率器件及其医疗电源 [P].

李佳 ;

蒋元元 .

中国专利 :CN222928648U ,2025-05-30

[2]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[3]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[4]

碳化硅功率器件并联驱动振荡抑制电路以及控制方法 [P].

郭烽 ;

高克宁 ;

李健维 ;

东伟 ;

盛琳 .

中国专利 :CN119921554B ,2025-08-08

[5]

碳化硅功率器件并联驱动振荡抑制电路以及控制方法 [P].

郭烽 ;

高克宁 ;

李健维 ;

东伟 ;

盛琳 .

中国专利 :CN119921554A ,2025-05-02

[6]

短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法 [P].

应贤炜 ;

陈谷然 ;

张跃 ;

黄昱 ;

部桐 ;

张腾 ;

杨晓磊 ;

李士颜 ;

杨勇 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN120786932A ,2025-10-14

[7]

短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法 [P].

应贤炜 ;

陈谷然 ;

张跃 ;

黄昱 ;

部桐 ;

张腾 ;

杨晓磊 ;

李士颜 ;

杨勇 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN120786932B ,2025-11-14

[8]

一种碳化硅功率器件以及开关器件 [P].

杨国江 ;

于世珩 ;

胡佳贤 .

中国专利 :CN115663030A ,2023-01-31

[9]

硅开关器件与碳化硅开关器件并联电路的控制方法及产品 [P].

朱鲁佳 ;

淦家阅 ;

赵长明 ;

任向飞 ;

孔庆波 ;

马建忠 ;

叶重荫 .

中国专利 :CN119814013A ,2025-04-11

[10]

一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件 [P].

桑玲 ;

田亮 ;

夏经华 ;

查祎英 ;

张文婷 ;

田丽欣 ;

安运来 ;

朱涛 ;

牛喜平 ;

罗松威 ;

杨霏 ;

吴军民 .

中国专利 :CN112002648A ,2020-11-27

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