短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511174234.2

申请日：

2025-08-21

公开(公告)号：

CN120786932A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

应贤炜陈谷然张跃黄昱部桐张腾杨晓磊李士颜杨勇柏松黄润华

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所南京第三代半导体技术创新中心

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

公开

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	公开	公开
2025-11-14	授权	授权
2025-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250821

共 50 条

[1]

短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法 [P].

应贤炜 ;

陈谷然 ;

张跃 ;

黄昱 ;

部桐 ;

张腾 ;

杨晓磊 ;

李士颜 ;

杨勇 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN120786932B ,2025-11-14

[2]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[3]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN107785417A ,2018-03-09

[4]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

刘慧莹 ;

李枭 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117650051B ,2024-09-27

[5]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

刘慧莹 ;

李枭 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117650051A ,2024-03-05

[6]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

[7]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095A ,2024-10-01

[8]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

邓小川 ;

柏思宇 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

张波 .

中国专利 :CN105977310A ,2016-09-28

[9]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095B ,2025-03-04

[10]

基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法 [P].

张千帆 ;

曲建真 ;

崔淑梅 ;

王金鑫 ;

袁雪 .

中国专利 :CN110768513B ,2020-02-07

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