具有内部通道的半导体基板支撑件

被引：0

申请号：

CN202180026040.1

申请日：

2021-03-29

公开(公告)号：

CN115362541A

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

V·D·帕科

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L21687 H01L2167

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20210329
2022-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有内部通道的半导体基板支撑件 [P].

V·D·帕科 .

美国专利 :CN115362541B ,2025-09-12

[2]

具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件 [P].

李建 ;

J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 ;

Z·J·叶 ;

D·R·B·拉杰 ;

S·斯里瓦斯塔瓦 ;

韩新海 ;

D·帕德希 ;

胡可嵩 ;

C-Y·王 .

美国专利 :CN114342060B ,2025-12-19

[3]

具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件 [P].

李建 ;

J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 ;

Z·J·叶 ;

D·R·B·拉杰 ;

S·斯里瓦斯塔瓦 ;

韩新海 ;

D·帕德希 ;

胡可嵩 ;

C-Y·王 .

中国专利 :CN114342060A ,2022-04-12

[4]

半导体基板支撑件 [P].

D·本杰明森 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114566458A ,2022-05-31

[5]

多区半导体基板支撑件 [P].

M·T·萨米尔 ;

D·杨 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 .

中国专利 :CN108962786A ,2018-12-07

[6]

多区半导体基板支撑件 [P].

M·T·萨米尔 ;

D·杨 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 .

美国专利 :CN108962786B ,2025-01-28

[7]

具有嵌入式RF屏蔽件的半导体基板支撑件 [P].

D·本杰明森 ;

M·格雷斯 ;

S·朴 ;

D·卢博米尔斯基 ;

赵在龙 ;

N·卡尔宁 ;

D·C·K·卡鲁拉克奇 .

中国专利 :CN112771654A ,2021-05-07

[8]

具有嵌入式RF屏蔽件的半导体基板支撑件 [P].

D·本杰明森 ;

M·格雷斯 ;

S·朴 ;

D·卢博米尔斯基 ;

赵在龙 ;

N·卡尔宁 ;

D·C·K·卡鲁拉克奇 .

美国专利 :CN112771654B ,2025-01-21

[9]

具有多个电极的半导体基板支撑件及其制造方法 [P].

迈克尔·派克 .

美国专利 :CN111357089B ,2024-01-23

[10]

具有多个电极的半导体基板支撑件及其制造方法 [P].

迈克尔·派克 .

中国专利 :CN111357089A ,2020-06-30

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