具有嵌入式RF屏蔽件的半导体基板支撑件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980060097.6

申请日：

2019-08-22

公开(公告)号：

CN112771654A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

D·本杰明森 M·格雷斯 S·朴 D·卢博米尔斯基赵在龙 N·卡尔宁 D·C·K·卡鲁拉克奇

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L2167 H01L21687 H01J3732 H05H146

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20190822
2021-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

具有嵌入式RF屏蔽件的半导体基板支撑件 [P].

D·本杰明森 ;

M·格雷斯 ;

S·朴 ;

D·卢博米尔斯基 ;

赵在龙 ;

N·卡尔宁 ;

D·C·K·卡鲁拉克奇 .

美国专利 :CN112771654B ,2025-01-21

[2]

多区半导体基板支撑件 [P].

M·T·萨米尔 ;

D·杨 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 .

中国专利 :CN108962786A ,2018-12-07

[3]

多区半导体基板支撑件 [P].

M·T·萨米尔 ;

D·杨 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 .

美国专利 :CN108962786B ,2025-01-28

[4]

具有内部通道的半导体基板支撑件 [P].

V·D·帕科 .

中国专利 :CN115362541A ,2022-11-18

[5]

具有内部通道的半导体基板支撑件 [P].

V·D·帕科 .

美国专利 :CN115362541B ,2025-09-12

[6]

具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件 [P].

李建 ;

J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 ;

Z·J·叶 ;

D·R·B·拉杰 ;

S·斯里瓦斯塔瓦 ;

韩新海 ;

D·帕德希 ;

胡可嵩 ;

C-Y·王 .

美国专利 :CN114342060B ,2025-12-19

[7]

具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件 [P].

李建 ;

J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 ;

Z·J·叶 ;

D·R·B·拉杰 ;

S·斯里瓦斯塔瓦 ;

韩新海 ;

D·帕德希 ;

胡可嵩 ;

C-Y·王 .

中国专利 :CN114342060A ,2022-04-12

[8]

半导体基板支撑件 [P].

D·本杰明森 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114566458A ,2022-05-31

[9]

具有双嵌入式电极的基板支撑件 [P].

赵在龙 ;

P·A·克劳斯 .

中国专利 :CN110998783B ,2020-04-10

[10]

具有多个嵌入式电极的基板支撑件 [P].

P·A·克劳斯 ;

T·C·楚 ;

赵在龙 .

中国专利 :CN110998782B ,2020-04-10

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