一种GaN基发光二极管结构

被引：0

申请号：

CN202210469140.8

申请日：

2022-04-28

公开(公告)号：

CN114784164A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

阚钦

申请人：

申请人地址：

237161 安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955

代理人：

戴丽伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20220428
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114864780A ,2022-08-05

[2]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN217507377U ,2022-09-27

[3]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114784165A ,2022-07-22

[4]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN217507376U ,2022-09-27

[5]

GaN基发光二极管 [P].

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN201898145U ,2011-07-13

[6]

一种GaN基发光二极管 [P].

郝锐 ;

马学进 ;

吴质朴 .

中国专利 :CN202616283U ,2012-12-19

[7]

一种GaN基发光二极管 [P].

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN102456787A ,2012-05-16

[8]

一种紫外发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114937727A ,2022-08-23

[9]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[10]

一种发光二极管 [P].

桂亮亮 ;

杨健 ;

蔡家豪 ;

汪琴 ;

汪玉 ;

王珊 ;

张家豪 .

中国专利 :CN213636024U ,2021-07-06

← 1 2 3 4 5 →