一种紫外发光二极管结构

被引：0

申请号：

CN202210469525.4

申请日：

2022-04-28

公开(公告)号：

CN114937727A

公开(公告)日：

2022-08-23

发明(设计)人：

阚钦

申请人：

申请人地址：

237161 安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3312 H01L3332

代理机构：

北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955

代理人：

戴丽伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20220428
2022-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[2]

一种紫外发光二极管 [P].

武帅 ;

潘兆花 ;

万永泉 .

中国专利 :CN105977353B ,2016-09-28

[3]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114864780A ,2022-08-05

[4]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN217507377U ,2022-09-27

[5]

一种GaN基发光二极管结构 [P].

阚钦 .

中国专利 :CN114784164A ,2022-07-22

[6]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[7]

一种发光二极管 [P].

桂亮亮 ;

杨健 ;

蔡家豪 ;

汪琴 ;

汪玉 ;

王珊 ;

张家豪 .

中国专利 :CN213636024U ,2021-07-06

[8]

发光二极管 [P].

李冬梅 ;

任加洛 ;

陶亚权 ;

王思博 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN118213446A ,2024-06-18

[9]

发光二极管 [P].

朱涛 ;

宋长伟 ;

芦玲 .

中国专利 :CN117317086B ,2024-05-24

[10]

发光二极管 [P].

李冬梅 ;

任加洛 ;

陶亚权 ;

王思博 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN118213446B ,2025-03-28

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