光电倍增器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680019794.X

申请日：

2006-06-01

公开(公告)号：

CN101189701A

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

久嶋浩之下井英树杉山浩之木下仁志木村末则增田祐司大村孝幸

申请人：

申请人地址：

日本静冈县

IPC主分类号：

H01J4324

IPC分类号：

H01J4312

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	公开	公开
2010-04-21	授权	授权
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

光电倍增器 [P].

久嶋浩之 ;

下井英树 ;

杉山浩之 ;

木下仁志 ;

木村末则 ;

增田祐司 ;

大村孝幸 .

中国专利 :CN100594578C ,2008-05-28

[2]

光电倍增器 [P].

大村孝幸 ;

久嶋浩之 ;

下井英树 ;

小玉刚史 .

中国专利 :CN101515531B ,2009-08-26

[3]

硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元 [P].

艾莲娜·V·波波娃 ;

谢尔盖·N·克莱曼 ;

列昂尼德·A·菲拉托夫 .

中国专利 :CN1998091A ,2007-07-11

[4]

电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器 [P].

服部真也 ;

须山本比吕 ;

小林浩之 .

中国专利 :CN105938786A ,2016-09-14

[5]

堆叠硅光电倍增器 [P].

温琴佐·塞斯塔 ;

S·J·贝里斯 ;

B·P·麦加维 ;

V·克洛伯夫 .

美国专利 :CN120786967A ,2025-10-14

[6]

固态光电倍增器装置 [P].

S.I.索罗维夫 ;

P.M.桑维克 ;

S.I.多林斯基 ;

C-P.陈 ;

H.C.克莱门 ;

S.帕利特 .

中国专利 :CN106461799B ,2017-02-22

[7]

光电倍增器及其制造方法 [P].

久嶋浩之 ;

下井英树 ;

影山明广 ;

井上圭祐 ;

伊藤益保 .

中国专利 :CN100555553C ,2007-02-21

[8]

单片硅光电倍增器阵列 [P].

C.奥纳尔 ;

P-Y.德罗兹 ;

N.达里亚 .

中国专利 :CN114424347A ,2022-04-29

[9]

光电子倍增器 [P].

久嶋浩之 ;

下井英树 ;

杉山浩之 ;

木下仁志 ;

木村末则 ;

增田祐司 ;

大村孝幸 .

中国专利 :CN101208768A ,2008-06-25

[10]

硅光电倍增器读出电路 [P].

G·普雷谢尔 ;

T·弗拉克 .

中国专利 :CN102763005A ,2012-10-31

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