固态光电倍增器装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580029613.0
申请日
2015-04-01
公开(公告)号
CN106461799B
公开(公告)日
2017-02-22
发明(设计)人
S.I.索罗维夫 P.M.桑维克 S.I.多林斯基 C-P.陈 H.C.克莱门 S.帕利特
申请人
申请人地址
美国纽约州
IPC主分类号
G01T1208
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
姜冰;姜甜
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
光电倍增器 [P]. 
久嶋浩之 ;
下井英树 ;
杉山浩之 ;
木下仁志 ;
木村末则 ;
增田祐司 ;
大村孝幸 .
中国专利 :CN101189701A ,2008-05-28
[2]
光电倍增器 [P]. 
久嶋浩之 ;
下井英树 ;
杉山浩之 ;
木下仁志 ;
木村末则 ;
增田祐司 ;
大村孝幸 .
中国专利 :CN100594578C ,2008-05-28
[3]
光电倍增器 [P]. 
大村孝幸 ;
久嶋浩之 ;
下井英树 ;
小玉刚史 .
中国专利 :CN101515531B ,2009-08-26
[4]
硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元 [P]. 
艾莲娜·V·波波娃 ;
谢尔盖·N·克莱曼 ;
列昂尼德·A·菲拉托夫 .
中国专利 :CN1998091A ,2007-07-11
[5]
电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器 [P]. 
服部真也 ;
须山本比吕 ;
小林浩之 .
中国专利 :CN105938786A ,2016-09-14
[6]
堆叠硅光电倍增器 [P]. 
温琴佐·塞斯塔 ;
S·J·贝里斯 ;
B·P·麦加维 ;
V·克洛伯夫 .
美国专利 :CN120786967A ,2025-10-14
[7]
具有固态光电倍增器的井下测井系统 [P]. 
S.索罗维夫 ;
S.I.多林斯基 ;
H.C.克莱门特 .
中国专利 :CN109073776A ,2018-12-21
[8]
光电倍增器及其制造方法 [P]. 
久嶋浩之 ;
下井英树 ;
影山明广 ;
井上圭祐 ;
伊藤益保 .
中国专利 :CN100555553C ,2007-02-21
[9]
单片硅光电倍增器阵列 [P]. 
C.奥纳尔 ;
P-Y.德罗兹 ;
N.达里亚 .
中国专利 :CN114424347A ,2022-04-29
[10]
硅光电倍增器读出电路 [P]. 
G·普雷谢尔 ;
T·弗拉克 .
中国专利 :CN102763005A ,2012-10-31