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固态光电倍增器装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201580029613.0
申请日
:
2015-04-01
公开(公告)号
:
CN106461799B
公开(公告)日
:
2017-02-22
发明(设计)人
:
S.I.索罗维夫
P.M.桑维克
S.I.多林斯基
C-P.陈
H.C.克莱门
S.帕利特
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
G01T1208
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
姜冰;姜甜
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-09
授权
授权
2017-02-22
公开
公开
2017-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708779116 IPC(主分类):G01T 1/208 专利申请号:2015800296130 申请日:20150401
共 50 条
[1]
光电倍增器
[P].
久嶋浩之
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久嶋浩之
;
下井英树
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下井英树
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杉山浩之
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杉山浩之
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木下仁志
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木下仁志
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木村末则
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木村末则
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增田祐司
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增田祐司
;
大村孝幸
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大村孝幸
.
中国专利
:CN101189701A
,2008-05-28
[2]
光电倍增器
[P].
久嶋浩之
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久嶋浩之
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下井英树
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下井英树
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杉山浩之
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杉山浩之
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木下仁志
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木下仁志
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木村末则
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木村末则
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增田祐司
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增田祐司
;
大村孝幸
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大村孝幸
.
中国专利
:CN100594578C
,2008-05-28
[3]
光电倍增器
[P].
大村孝幸
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大村孝幸
;
久嶋浩之
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久嶋浩之
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下井英树
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下井英树
;
小玉刚史
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小玉刚史
.
中国专利
:CN101515531B
,2009-08-26
[4]
硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元
[P].
艾莲娜·V·波波娃
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艾莲娜·V·波波娃
;
谢尔盖·N·克莱曼
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谢尔盖·N·克莱曼
;
列昂尼德·A·菲拉托夫
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列昂尼德·A·菲拉托夫
.
中国专利
:CN1998091A
,2007-07-11
[5]
电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器
[P].
服部真也
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服部真也
;
须山本比吕
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须山本比吕
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小林浩之
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小林浩之
.
中国专利
:CN105938786A
,2016-09-14
[6]
堆叠硅光电倍增器
[P].
温琴佐·塞斯塔
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机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
温琴佐·塞斯塔
;
S·J·贝里斯
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机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
S·J·贝里斯
;
B·P·麦加维
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半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
B·P·麦加维
;
V·克洛伯夫
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机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
V·克洛伯夫
.
美国专利
:CN120786967A
,2025-10-14
[7]
具有固态光电倍增器的井下测井系统
[P].
S.索罗维夫
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S.索罗维夫
;
S.I.多林斯基
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S.I.多林斯基
;
H.C.克莱门特
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H.C.克莱门特
.
中国专利
:CN109073776A
,2018-12-21
[8]
光电倍增器及其制造方法
[P].
久嶋浩之
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久嶋浩之
;
下井英树
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下井英树
;
影山明广
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影山明广
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井上圭祐
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井上圭祐
;
伊藤益保
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伊藤益保
.
中国专利
:CN100555553C
,2007-02-21
[9]
单片硅光电倍增器阵列
[P].
C.奥纳尔
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C.奥纳尔
;
P-Y.德罗兹
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P-Y.德罗兹
;
N.达里亚
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N.达里亚
.
中国专利
:CN114424347A
,2022-04-29
[10]
硅光电倍增器读出电路
[P].
G·普雷谢尔
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G·普雷谢尔
;
T·弗拉克
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T·弗拉克
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中国专利
:CN102763005A
,2012-10-31
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