晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910249095.X

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN102117831A

公开(公告)日：

2011-07-06

发明(设计)人：

尹海洲骆志炯朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

王建国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-06	公开	公开
2013-03-13	授权	授权
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101098309938 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:200910249095X 申请日:20091231

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[2]

晶体管及其制造方法 [P].

吴巍 ;

徐征 .

中国专利 :CN115440804A ,2022-12-06

[3]

晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104752200A ,2015-07-01

[4]

晶体管及其制造方法 [P].

上野哲嗣 ;

李化成 ;

李浩 ;

申东石 ;

李承换 .

中国专利 :CN1790743A ,2006-06-21

[5]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102931235B ,2013-02-13

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044438B ,2011-05-04

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104124170A ,2014-10-29

[9]

晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 ;

徐依协 .

中国专利 :CN103839821B ,2014-06-04

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

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