一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011355645.9

申请日：

2020-11-27

公开(公告)号：

CN112575310A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

胡宝山蔡霞金燕

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C01B32186 C23C1602

代理机构：

重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237

代理人：

王翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20201127

共 50 条

[1]

一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

赵文斌 .

中国专利 :CN106587030B ,2017-04-26

[2]

一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法 [P].

陈林锋 ;

孔知之 .

中国专利 :CN104773726A ,2015-07-15

[3]

一种低温化学气相沉积生长石墨烯薄膜的方法 [P].

黄孟琼 .

中国专利 :CN103184425B ,2013-07-03

[4]

一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法 [P].

崔成杰 ;

贾宇冲 ;

马俊杰 .

中国专利 :CN105734525A ,2016-07-06

[5]

制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法 [P].

李雪松 .

中国专利 :CN105399082A ,2016-03-16

[6]

一种化学气相沉积制备石墨烯的方法 [P].

孙靖宇 ;

刘非凡 ;

刘忠范 ;

李颖涵 ;

贾丽 .

中国专利 :CN120330675A ,2025-07-18

[7]

化学气相沉积法制备石墨烯的方法 [P].

刘云圻 ;

魏大程 ;

狄重安 ;

王钰 ;

张洪亮 ;

黄丽平 ;

于贵 .

中国专利 :CN101285175A ,2008-10-15

[8]

一种单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法 [P].

林时胜 ;

李晓强 .

中国专利 :CN103074679A ,2013-05-01

[9]

化学气相沉积法制备石墨烯的无损伤转移方法 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104150476B ,2014-11-19

[10]

一种化学气相沉积法制备石墨烯 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104085887A ,2014-10-08

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