一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710018061.4

申请日：

2017-01-11

公开(公告)号：

CN106587030B

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

胡宝山赵文斌

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

C01B32186

IPC分类号：

C23C1626 C23C1602

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 32/186 申请日:20170111 授权公告日:20180710 终止日期:20200111
2017-04-26	公开	公开
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721564679 IPC(主分类):C01B 32/186 专利申请号:2017100180614 申请日:20170111
2018-07-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

蔡霞 ;

金燕 .

中国专利 :CN112575310A ,2021-03-30

[2]

一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法 [P].

陈林锋 ;

孔知之 .

中国专利 :CN104773726A ,2015-07-15

[3]

一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法 [P].

崔成杰 ;

贾宇冲 ;

马俊杰 .

中国专利 :CN105734525A ,2016-07-06

[4]

制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法 [P].

李雪松 .

中国专利 :CN105399082A ,2016-03-16

[5]

一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 [P].

高翾 ;

黄德萍 ;

李占成 ;

张永娜 ;

朱鹏 ;

姜浩 ;

史浩飞 ;

杜春雷 .

中国专利 :CN104498902A ,2015-04-08

[6]

一种化学气相沉积制备石墨烯的方法 [P].

孙靖宇 ;

刘非凡 ;

刘忠范 ;

李颖涵 ;

贾丽 .

中国专利 :CN120330675A ,2025-07-18

[7]

一种单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法 [P].

林时胜 ;

李晓强 .

中国专利 :CN103074679A ,2013-05-01

[8]

一种低温化学气相沉积生长石墨烯薄膜的方法 [P].

黄孟琼 .

中国专利 :CN103184425B ,2013-07-03

[9]

化学气相沉积法制备石墨烯的无损伤转移方法 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104150476B ,2014-11-19

[10]

一种化学气相沉积法制备石墨烯 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104085887A ,2014-10-08

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