一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410766927.6

申请日：

2014-12-12

公开(公告)号：

CN104498902A

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

高翾黄德萍李占成张永娜朱鹏姜浩史浩飞杜春雷

申请人：

申请人地址：

400714 重庆市北碚区方正大道266号

IPC主分类号：

C23C16453

IPC分类号：

C23C1626

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

杨立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	授权	授权
2015-04-08	公开	公开
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608381562 IPC(主分类):C23C 16/453 专利申请号:2014107669276 申请日:20141212

共 50 条

[1]

一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

赵文斌 .

中国专利 :CN106587030B ,2017-04-26

[2]

一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

蔡霞 ;

金燕 .

中国专利 :CN112575310A ,2021-03-30

[3]

制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法 [P].

李雪松 .

中国专利 :CN105399082A ,2016-03-16

[4]

一种常压化学气相沉积制备少层石墨烯膜的方法 [P].

赵博琪 ;

李秀清 ;

张青龙 ;

周彤 ;

王荣海 ;

王闯 ;

袁龙 .

中国专利 :CN112746263B ,2021-05-04

[5]

一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法 [P].

林时胜 ;

董策舟 .

中国专利 :CN103072978A ,2013-05-01

[6]

一种无褶皱均匀单层石墨烯薄膜的化学气相沉积制备方法 [P].

马来鹏 ;

唐玉婷 ;

任文才 ;

成会明 .

中国专利 :CN120945340A ,2025-11-14

[7]

一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法 [P].

崔成杰 ;

贾宇冲 ;

马俊杰 .

中国专利 :CN105734525A ,2016-07-06

[8]

一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法 [P].

刘庆渊 ;

苏东艺 ;

彭继华 .

中国专利 :CN107217239A ,2017-09-29

[9]

一种化学气相沉积制备石墨烯的方法 [P].

孙靖宇 ;

刘非凡 ;

刘忠范 ;

李颖涵 ;

贾丽 .

中国专利 :CN120330675A ,2025-07-18

[10]

一种化学气相沉积电子照射制备石墨烯薄膜的方法 [P].

王超 ;

陈晓寒 ;

刁东风 .

中国专利 :CN113637952A ,2021-11-12

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