一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710447695.1

申请日：

2017-06-14

公开(公告)号：

CN107217239A

公开(公告)日：

2017-09-29

发明(设计)人：

刘庆渊苏东艺彭继华

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C23C1602

IPC分类号：

C23C1626

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈智英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	公开	公开
2020-08-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/02 申请公布日:20170929
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/02 申请日:20170614

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法 [P].

崔成杰 ;

贾宇冲 ;

马俊杰 .

中国专利 :CN105734525A ,2016-07-06

[2]

一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 [P].

高翾 ;

黄德萍 ;

李占成 ;

张永娜 ;

朱鹏 ;

姜浩 ;

史浩飞 ;

杜春雷 .

中国专利 :CN104498902A ,2015-04-08

[3]

化学气相沉积法制备石墨烯的方法 [P].

刘云圻 ;

魏大程 ;

狄重安 ;

王钰 ;

张洪亮 ;

黄丽平 ;

于贵 .

中国专利 :CN101285175A ,2008-10-15

[4]

一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

赵文斌 .

中国专利 :CN106587030B ,2017-04-26

[5]

一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法 [P].

吴军 ;

杨东阳 ;

吕诚 ;

姚林 ;

万建国 .

中国专利 :CN109440081B ,2019-03-08

[6]

化学气相沉积法制备石墨烯 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104030277A ,2014-09-10

[7]

一种化学气相沉积法制备石墨烯 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104085887A ,2014-10-08

[8]

一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

胡宝山 ;

蔡霞 ;

金燕 .

中国专利 :CN112575310A ,2021-03-30

[9]

一种CVD化学气相沉积法制备石墨烯薄膜专用支架 [P].

郝振亮 ;

蔡金明 ;

陈其赞 ;

黄文添 .

中国专利 :CN216838170U ,2022-06-28

[10]

一种基于化学气相沉积法制备多层石墨烯的方法 [P].

王振华 ;

李驰 ;

李佳芮 ;

刘思兰 ;

孙东甲 ;

张伟强 ;

周顷禹 ;

邵雪健 ;

孙伟 .

中国专利 :CN116397211B ,2024-01-16

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