用于半导体光刻的光学系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780030460.7

申请日：

2007-08-16

公开(公告)号：

CN101517488A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

F·梅尔泽关彦彬 S·萨尔特 D·菲奥尔卡

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G02B714

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邱军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	授权	授权
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20070816 授权公告日:20120905 终止日期:20210816
2009-08-26	公开	公开
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体基光学系统的方法 [P].

J·罗杰斯 ;

R·纳佐 ;

M·梅尔特 ;

E·梅纳德 ;

A·J·巴卡 ;

M·穆塔拉 ;

J-H·安 ;

S-I·朴 ;

C-J·于 ;

H·C·高 ;

M·斯托伊克维奇 ;

J·尹 .

中国专利 :CN104637954B ,2015-05-20

[2]

用于加工半导体材料的方法和光学系统 [P].

S·格伯特 ;

H·卡勒特 .

中国专利 :CN113811981A ,2021-12-17

[3]

用于加工半导体材料的方法和光学系统 [P].

S·格伯特 ;

H·卡勒特 .

德国专利 :CN113811981B ,2025-08-26

[4]

半导体激光测距机光学系统 [P].

杨耀富 ;

王利 ;

朱振军 ;

曹春青 ;

卢金英 .

中国专利 :CN202614217U ,2012-12-19

[5]

用于微光刻的照明光学系统与光学系统 [P].

马丁.恩德雷斯 .

中国专利 :CN102422225A ,2012-04-18

[6]

微光刻的光学系统 [P].

J.格罗斯曼 .

中国专利 :CN110914763A ,2020-03-24

[7]

光学系统、包括光学系统的光刻设备以及包括光学系统的布置 [P].

R·基泽尔 .

德国专利 :CN120266061A ,2025-07-04

[8]

一种用于半导体的缺陷检测光学系统 [P].

吴迪 ;

黄岚 ;

杨帆 ;

高锦龙 .

中国专利 :CN115524345A ,2022-12-27

[9]

光学系统和光刻系统 [P].

T·沃尔夫斯坦纳 ;

S·沃尔兹 ;

M·霍尔兹 ;

H·比格 ;

A-J·格林 ;

A·弗罗姆迈尔 .

德国专利 :CN120435692A ,2025-08-05

[10]

光学系统及其装置和使用该光学系统制造半导体装置的方法 [P].

岡本達樹 ;

小川哲也 ;

古田啓介 ;

时岡秀忠 ;

笹川智宏 ;

西前顺一 ;

井上満夫 ;

佐藤行雄 .

中国专利 :CN1146027C ,2001-03-14

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