晶体硅系太阳能电池及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080030021.8

申请日：

2010-07-02

公开(公告)号：

CN102473750B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

足立大辅吉河训太山本宪治

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31036 H01L3118

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

苗堃;金世煜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2014-08-20	授权	授权
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282310362 IPC(主分类):H01L 31/04 专利申请号:2010800300218 申请日:20100702

共 50 条

[1]

晶体硅系太阳能电池及其制造方法 [P].

足立大辅 .

中国专利 :CN109690791B ,2019-04-26

[2]

晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块 [P].

足立大辅 .

中国专利 :CN108886069B ,2018-11-23

[3]

晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法 [P].

宇都俊彦 ;

足立大辅 ;

宇津恒 .

中国专利 :CN106463561B ,2017-02-22

[4]

晶体硅太阳能电池 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

孙恒超 ;

戴小宛 ;

侯彩霞 .

中国专利 :CN108091711A ,2018-05-29

[5]

晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 [P].

足立大辅 ;

寺下彻 ;

宇都俊彦 .

中国专利 :CN108352417B ,2018-07-31

[6]

晶体硅太阳能电池的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、晶体硅太阳能电池以及太阳能电池模块 [P].

宇津恒 ;

寺下彻 ;

足立大辅 ;

吉见雅士 ;

何塞·路易斯埃尔南德斯 .

中国专利 :CN103999242A ,2014-08-20

[7]

晶体硅太阳能电池及其制造方法 [P].

罗雷 .

中国专利 :CN106558626A ,2017-04-05

[8]

晶体硅太阳能电池及其制造方法 [P].

吴鑫 .

中国专利 :CN102487106A ,2012-06-06

[9]

晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池 [P].

李吉 ;

杨联赞 ;

时宝 ;

林纲正 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113782636A ,2021-12-10

[10]

晶体硅太阳能电池 [P].

吕建国 ;

叶志镇 ;

黄继杰 .

中国专利 :CN102157572A ,2011-08-17

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