晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680064015.1

申请日：

2016-11-04

公开(公告)号：

CN108352417B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

足立大辅寺下彻宇都俊彦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L21288 H01L310747

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李书慧;金世煜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2021-09-14	授权	授权
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20161104

共 50 条

[1]

晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法 [P].

宇都俊彦 ;

足立大辅 ;

宇津恒 .

中国专利 :CN106463561B ,2017-02-22

[2]

晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块 [P].

足立大辅 .

中国专利 :CN108886069B ,2018-11-23

[3]

晶体硅太阳能电池的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、晶体硅太阳能电池以及太阳能电池模块 [P].

宇津恒 ;

寺下彻 ;

足立大辅 ;

吉见雅士 ;

何塞·路易斯埃尔南德斯 .

中国专利 :CN103999242A ,2014-08-20

[4]

晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法 [P].

宇都俊彦 ;

足立大辅 .

中国专利 :CN107078179B ,2017-08-18

[5]

晶体硅系太阳能电池及其制造方法 [P].

足立大辅 .

中国专利 :CN109690791B ,2019-04-26

[6]

晶体硅系太阳能电池及其制造方法 [P].

足立大辅 ;

吉河训太 ;

山本宪治 .

中国专利 :CN102473750B ,2012-05-23

[7]

晶体硅太阳能电池模块及其制造方法 [P].

吉河训太 ;

寺下彻 ;

中野邦裕 ;

河崎勇人 ;

小西克典 .

中国专利 :CN107771360B ,2018-03-06

[8]

晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池 [P].

李吉 ;

杨联赞 ;

时宝 ;

林纲正 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113782636A ,2021-12-10

[9]

晶体硅太阳能电池的制作方法及晶体硅太阳能电池 [P].

张洪超 ;

童洪波 ;

李华 ;

刘继宇 .

中国专利 :CN112216766A ,2021-01-12

[10]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN201289855Y ,2009-08-12

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