具有高透射率结构的透明导电氧化物层及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310231580.0

申请日：

2013-06-09

公开(公告)号：

CN104037247A

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

陈世伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L310749 H01L310216 H01L3118

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	著录事项变更	著录事项变更变更后:中国台湾新竹号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737081175 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2013102315800 变更事项:申请人变更前:台积太阳能股份有限公司变更后:台湾积体电路制造股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾台中
2014-09-10	公开	公开
2017-04-26	授权	授权
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587391870 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2013102315800 申请日:20130609

共 50 条

[1]

近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

李桂锋 ;

杨铭 .

中国专利 :CN100477133C ,2007-11-28

[2]

近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

李桂锋 ;

李喜峰 .

中国专利 :CN101101931A ,2008-01-09

[3]

制造透明导电氧化物涂层的方法 [P].

卓阿克姆·沐勒 ;

刘健 ;

斯蒂芬·威尔德 .

中国专利 :CN101521247A ,2009-09-02

[4]

包含透明的导电氧化物膜的基底及其制造方法 [P].

亚历山大·佩雷拉 ;

塞德里克·迪克罗 ;

佐耶·特比 .

中国专利 :CN102947943B ,2013-02-27

[5]

掺杂的透明导电氧化物 [P].

道格拉斯·道森 ;

斯科特·米勒斯 ;

泊伊尔·帕斯马科夫 ;

戴尔·罗伯逊 ;

赵志波 .

中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30

[6]

氧化物透明导电层的蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 .

中国专利 :CN101208277A ,2008-06-25

[7]

高电导率、高透射率的透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘超平 .

中国专利 :CN114496353A ,2022-05-13

[8]

高电导率、高透射率的透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘超平 .

中国专利 :CN114496353B ,2024-03-26

[9]

改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法 [P].

朴商一 ;

金昌树 .

中国专利 :CN1262020C ,2003-06-11

[10]

增强导电氧化物层雾度的方法及透明导电氧化物透明基底 [P].

路胜博 .

中国专利 :CN103426968A ,2013-12-04

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