氧化物透明导电层的蚀刻介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680023243.0

申请日：

2006-06-08

公开(公告)号：

CN101208277A

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

W·斯托库姆 A·库贝尔贝克

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘元金;李连涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-25	公开	公开
2014-09-24	授权	授权
2019-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 15/00 申请日:20060608 授权公告日:20140924 终止日期:20180608

共 50 条

[1]

用于透明导电氧化层的蚀刻介质 [P].

A·库贝尔贝克 ;

W·斯托库姆 .

中国专利 :CN101228097A ,2008-07-23

[2]

用于透明导电氧化层的蚀刻介质 [P].

A·库贝尔贝克 ;

W·斯托库姆 .

中国专利 :CN104496192A ,2015-04-08

[3]

用于蚀刻透明和导电氧化物层的可印刷介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库拜尔贝克 .

中国专利 :CN101600779B ,2009-12-09

[4]

掺杂的透明导电氧化物 [P].

道格拉斯·道森 ;

斯科特·米勒斯 ;

泊伊尔·帕斯马科夫 ;

戴尔·罗伯逊 ;

赵志波 .

中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30

[5]

用于金属及金属氧化物透明导电层的蚀刻膏及蚀刻工艺 [P].

张林 .

中国专利 :CN101717645A ,2010-06-02

[6]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[7]

制造透明导电氧化物涂层的方法 [P].

卓阿克姆·沐勒 ;

刘健 ;

斯蒂芬·威尔德 .

中国专利 :CN101521247A ,2009-09-02

[8]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[9]

透明导电氧化物 [P].

弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;

彼得·P·爱德华兹 .

中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11

[10]

透明导电氧化物 [P].

理查德·欧内斯特·德马雷 ;

穆昆丹·纳拉辛汉 .

中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30

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