用于金属及金属氧化物透明导电层的蚀刻膏及蚀刻工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910193983.4

申请日：

2009-11-17

公开(公告)号：

CN101717645A

公开(公告)日：

2010-06-02

发明(设计)人：

张林

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市香洲区人民西路168号三好名苑13-1-1004

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

C09K1300 C23F114 C03C1500

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司 44214

代理人：

王贤义

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691313002 IPC(主分类):H01L 21/3213 专利申请号:2009101939834 申请公布日:20100602
2010-06-02	公开	公开
2010-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003922637 IPC(主分类):C09K 13/06 专利申请号:2009101939834 申请日:20091117

共 50 条

[1]

一种金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻工艺 [P].

周瑞平 ;

张东升 .

中国专利 :CN115305090A ,2022-11-08

[2]

用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法 [P].

J·张 ;

王安川 ;

N·英格尔 .

中国专利 :CN103430288A ,2013-12-04

[3]

落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构 [P].

S·梅耶 ;

M·H·恩泽伯格海姆 ;

R·波尔特 .

美国专利 :CN111758154B ,2025-01-10

[4]

落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构 [P].

S·梅耶 ;

M·H·恩泽伯格海姆 ;

R·波尔特 .

中国专利 :CN111758154A ,2020-10-09

[5]

氧化物透明导电层的蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 .

中国专利 :CN101208277A ,2008-06-25

[6]

金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

大和田拓央 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN104449739A ,2015-03-25

[7]

金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

大和田拓央 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN111286333A ,2020-06-16

[8]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

田玹守 .

中国专利 :CN103911157A ,2014-07-09

[9]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

金童基 ;

田玹守 ;

郑敬燮 .

中国专利 :CN103911156B ,2014-07-09

[10]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

李智娟 .

中国专利 :CN103911158A ,2014-07-09

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