金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410478206.5

申请日：

2014-09-18

公开(公告)号：

CN104449739A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

大和田拓央清水寿和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09K1304

IPC分类号：

C09K1300 C09K1306 H01L21467 H01L29786

代理机构：

上海一平知识产权代理有限公司 31266

代理人：

崔佳佳;马莉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2020-04-21	授权	授权
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676318066 IPC(主分类):C09K 13/04 专利申请号:2014104782065 申请日:20140918

共 50 条

[1]

金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

大和田拓央 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN111286333A ,2020-06-16

[2]

铜系金属膜和金属氧化物膜蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

李恩远 ;

朴升煜 ;

梁承宰 .

中国专利 :CN107083552A ,2017-08-22

[3]

蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

河野良 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN105297022A ,2016-02-03

[4]

一种金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻工艺 [P].

周瑞平 ;

张东升 .

中国专利 :CN115305090A ,2022-11-08

[5]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899A ,2022-11-22

[6]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899B ,2025-07-04

[7]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

田玹守 .

中国专利 :CN103911157A ,2014-07-09

[8]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

金童基 ;

田玹守 ;

郑敬燮 .

中国专利 :CN103911156B ,2014-07-09

[9]

蚀刻液组合物和氧化物半导体器件 [P].

李恩庆 .

中国专利 :CN117468002A ,2024-01-30

[10]

蚀刻液组合物和氧化物半导体器件 [P].

李恩庆 .

中国专利 :CN117468002B ,2025-10-10

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