落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构

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专利类型
发明
申请号
CN201980015406.8
申请日
2019-03-27
公开(公告)号
CN111758154A
公开(公告)日
2020-10-09
发明(设计)人
S·梅耶 M·H·恩泽伯格海姆 R·波尔特
申请人
申请人地址
美国德克萨斯州
IPC主分类号
H01L2146
IPC分类号
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人
袁策
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构 [P]. 
S·梅耶 ;
M·H·恩泽伯格海姆 ;
R·波尔特 .
美国专利 :CN111758154B ,2025-01-10
[2]
用于金属及金属氧化物透明导电层的蚀刻膏及蚀刻工艺 [P]. 
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中国专利 :CN101717645A ,2010-06-02
[3]
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C·德泽拉 ;
P·罗梅罗 ;
B·维穆伦 ;
A·莱昂哈特 .
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[4]
金属层的形成和原位蚀刻工艺 [P]. 
林柏宇 ;
周其雨 ;
李显铭 ;
杨怀德 ;
王俊杰 ;
白岳青 ;
杨淇任 ;
汤宗达 ;
王宜婷 .
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[5]
金属氧化物膜的原子层蚀刻方法 [P]. 
郑星雄 ;
郭正勋 ;
权柄香 ;
曹榕浚 .
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[6]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
权五炳 ;
金童基 ;
田玹守 .
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[7]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
金童基 ;
田玹守 ;
郑敬燮 .
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[8]
用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P]. 
权五炳 ;
金童基 ;
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中国专利 :CN103911158A ,2014-07-09
[9]
金属氧化物层的形成 [P]. 
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[10]
一种金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻工艺 [P]. 
周瑞平 ;
张东升 .
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