用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280013237.2

申请日：

2012-03-13

公开(公告)号：

CN103430288A

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

J·张王安川 N·英格尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580950164 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2012800132372 申请日:20120313
2013-12-04	公开	公开
2016-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物膜的原子层蚀刻方法 [P].

郑星雄 ;

郭正勋 ;

权柄香 ;

曹榕浚 .

韩国专利 :CN119384715A ,2025-01-28

[2]

用于沉积金属氧化物膜的方法 [P].

卡洛·塔利亚尼 ;

彼得·诺扎尔 .

中国专利 :CN101970709A ,2011-02-09

[3]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[4]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[5]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[6]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

[8]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21

[9]

用于金属及金属氧化物透明导电层的蚀刻膏及蚀刻工艺 [P].

张林 .

中国专利 :CN101717645A ,2010-06-02

[10]

用于蚀刻SIN膜的方法 [P].

J·张 ;

王安川 ;

N·英格尔 .

中国专利 :CN103430289B ,2013-12-04

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