金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810945034.6

申请日：

2013-10-30

公开(公告)号：

CN109065553A

公开(公告)日：

2018-12-21

发明(设计)人：

高桥正弘广桥拓也津吹将志石原典隆太田将志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2904 H01L2924 H01L21336 H01L2166 H01L29786 C23C1408 C23C1434 G01N23207 G02F11368

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20131030
2018-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[2]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[3]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[4]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[5]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

[6]

金属氧化物-硅氧化物分层膜 [P].

普尔凯特·阿加瓦尔 ;

刘培基 ;

拉维·库马尔 ;

詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;

伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN119968693A ,2025-05-09

[7]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[8]

金属氧化物膜、半导体装置及金属氧化物膜的评价方法 [P].

生内俊光 ;

保坂泰靖 ;

冈崎健一 ;

高桥正弘 ;

中山智则 ;

金川朋贤 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN113423857A ,2021-09-21

[9]

金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件 [P].

行延雅也 ;

村山勇树 ;

永野崇仁 ;

大塚良广 .

中国专利 :CN102933496A ,2013-02-13

[10]

发光金属氧化物膜 [P].

应仪如 ;

尤啸华 ;

埃姆里尔·穆罕默德·阿利 .

中国专利 :CN101416056A ,2009-04-22

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