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金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201180028065.1
申请日：
2011-06-08
公开(公告)号：
CN102933496A
公开(公告)日：
2013-02-13
发明(设计)人：
行延雅也 村山勇树 永野崇仁 大塚良广
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C01G2702
IPC分类号：
C01F702 C01F1700 C01G2304 C01G2502 C03C1725 C03C1727 H01B514 H01B1300 C01B1332
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
王永红
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2013-03-20 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415528356 IPC(主分类):C01G 27/02 专利申请号:2011800280651 申请日:20110608
2013-02-13 公开 公开
2020-06-02 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/27 申请日:20110608 授权公告日:20141022 终止日期:20190608
2014-10-22 授权 授权
共 50 条
[1]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20
[2]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06
[3]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17
[4]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21
[5]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08
[6]
金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P]. 
高桥正弘 ;
广桥拓也 ;
津吹将志 ;
石原典隆 ;
太田将志 .
日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01
[7]
掺杂的金属氧化物膜和制造该掺杂的金属氧化物膜的系统 [P]. 
P·吴 ;
H·龚 ;
Z·G·于 .
中国专利 :CN100573836C ,2008-03-12
[8]
金属氧化物膜的制造 [P]. 
高唯 ;
李正伟 .
中国专利 :CN101189359A ,2008-05-28
[9]
金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P]. 
饭塚宗明 ;
藤村俊伸 ;
中里克己 ;
佐藤享平 ;
平田纯也 .
日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27
[10]
金属氧化物-硅氧化物分层膜 [P]. 
普尔凯特·阿加瓦尔 ;
刘培基 ;
拉维·库马尔 ;
詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;
伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ;
巴特·J·范施拉芬迪克 .
美国专利 :CN119968693A ,2025-05-09
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