集成多个装置的单片集成电路芯片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201380039418.7
申请日
2013-05-24
公开(公告)号
CN104520986A
公开(公告)日
2015-04-15
发明(设计)人
杰弗里·H·桑德斯
申请人
申请人地址
美国马萨诸塞州沃尔瑟姆
IPC主分类号
H01L218258
IPC分类号
H01L2706 H01L27085
代理机构
北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382
代理人
尹卓;黄庆芳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
单片集成电路 [P]. 
金谷康 .
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[2]
单片集成电路的装置 [P]. 
穆赫辛·绍克拉尼 ;
米希尔·考恩霍文 ;
戴维·阿赫马里 ;
陈阳闿 .
美国专利 :CN120184739A ,2025-06-20
[3]
用于射频应用的单片集成电路 [P]. 
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[4]
单片集成电路制作的助听器 [P]. 
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单片集成电路制作的助听器 [P]. 
洪珍 ;
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[6]
单片集成电路及在一公共衬底上制造单片集成电路的方法 [P]. 
德怀特·C·斯特赖特 ;
唐纳德·K·昂莫托 ;
阿伦·K·奥基 ;
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[7]
单片集成电路及其制造方法 [P]. 
樊永辉 ;
张汪根 ;
许明伟 ;
樊晓兵 .
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[8]
具有电容性隔离的单片集成电路 [P]. 
亚肖德汉·维贾伊·莫盖 ;
安德鲁·特里 ;
安德鲁·詹姆斯·里德 ;
史蒂文·格兰特·杜瓦尔 .
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一种硅基氮化镓单片集成电路 [P]. 
刘志宏 ;
黎培森 ;
李蔚然 ;
周瑾 ;
邢伟川 ;
李祥东 ;
赵胜雷 ;
周弘 ;
张苇杭 ;
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中国专利 :CN113990867A ,2022-01-28
[10]
具有电容性隔离的单片集成电路 [P]. 
亚肖德汉·维贾伊·莫盖 ;
安德鲁·特里 ;
安德鲁·詹姆斯·里德 ;
史蒂文·格兰特·杜瓦尔 .
中国专利 :CN103229298B ,2013-07-31